可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種，都是三個(gè)電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（G）。

 1、單、雙向可控硅的判別：先任測(cè)兩個(gè)極，若正、反測(cè)指針均不動(dòng)（R×1擋），可能是A、K或G、A極（對(duì)單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對(duì)雙向可控硅）。若其中有一次測(cè)量指示為幾十至幾百歐，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極，剩下即為A極。若正、反向測(cè)批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測(cè)，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極，余下是T2極。

 2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對(duì)于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時(shí)接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐，此時(shí)可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流小）。然后瞬時(shí)斷開A極再接通，指針應(yīng)退回∞位置，則表明可控硅良好。

對(duì)于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極，黑筆同時(shí)接G、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極，指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對(duì)調(diào)，重復(fù)上述步驟測(cè)一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐，則表明可控硅良好，且觸發(fā)電壓（或電流）小。若保持接通A極或T2極時(shí)斷開G極，指針立即退回∞位置，則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞。可按圖2方法進(jìn)一步測(cè)量，對(duì)于單向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞。

對(duì)于雙向可控硅，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開K，燈應(yīng)不息滅。然后將電池反接，重復(fù)上述步驟，均應(yīng)是同一結(jié)果，才說明是好的。否則說明該器件已損壞。

我司代理銷售KC-2可控硅測(cè)試儀：KC-2型可控硅測(cè)試儀簡(jiǎn)介

　　KC-2型可控硅測(cè)試儀（又名：全系列塑封可控硅、可控硅光耦測(cè)試儀），是2005年研究設(shè)計(jì)成功的

一種新穎的數(shù)字顯示式多功能半自動(dòng)可控硅和可控硅光電耦合器參數(shù)測(cè)試裝置。

　　１、它可以測(cè)量小至TO-92封裝大至TO-3P封裝的各種電流等級(jí)的塑封單、雙向可控硅（晶閘管）。

　　２、專門設(shè)計(jì)了0-1O00uA的觸發(fā)電流量程，可以直接測(cè)量MCR100-6等微安級(jí)觸發(fā)電流的可控硅。

　　３、可以測(cè)量DIP-6、DIP-4封裝的過零和非過零檢測(cè)可控硅輸出的光電耦合器和DIP-6封裝的單向可控硅輸出的光電耦合器。

　　４、可以測(cè)量200A以下的螺銓型單、雙向可控硅和可控硅組合模塊。

　　５、測(cè)試觸發(fā)電流和觸發(fā)電壓時(shí)無需人工調(diào)節(jié)，可控硅插入測(cè)試座后儀器會(huì)自動(dòng)的調(diào)節(jié)至觸發(fā)值，并穩(wěn)定的顯示觸發(fā)電流 IGT / 觸發(fā)電壓 VGT。

　　６、測(cè)試可控硅耐壓參數(shù)時(shí)只需一次性調(diào)節(jié)好zui高輸出電壓值，以后每測(cè)一個(gè)管子只要按下高壓按鈕即可顯示該可控硅的耐壓值。

　　該儀器主要用于可控硅使用廠家對(duì)可控硅元件的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)、可控硅設(shè)備的維修之用。儀器

還可以廣泛的應(yīng)用于對(duì)多種電子元器件的高低壓耐壓的測(cè)試。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測(cè)量準(zhǔn)確、使用安全方便。

二、主要技術(shù)性能

　　1、可控硅觸發(fā)電流IGT
測(cè)量范圍： 6—1000uA ，0—10.00mA, 0—100.0mA 精度：≤3 % 。

　　2、可控硅觸發(fā)電壓VGT測(cè)量范圍：
0—5V， 精度：≤5 % 。

　　3、可控硅光耦輸入端LED觸發(fā)電流IFT測(cè)量范圍：0—10.00mA, 0—100.0mA 精度：≤3 % 。

　　4、可控硅光耦輸入端LED觸發(fā)電壓VFT測(cè)量范圍：0—3V 精度：≤5 % 。

　　5、可控硅和可控硅光耦輸出端，正反向不重復(fù)峰值電壓VDSM/VRSM測(cè)量范圍： 0—2KV精度：≤3 % 。

　　6、可控硅和可控硅光耦輸出端，正反向重復(fù)峰值電壓VDRM/VRRM測(cè)量范圍： 0—1.6KV精度：≤5 % 。
三、主要測(cè)試功能

　　1、全系列單雙向塑封可控硅觸發(fā)電流IGT、觸發(fā)電壓VGT的測(cè)試，正反向不重復(fù)峰值電壓VDSM / VRSM

的測(cè)試，正反向重復(fù)峰值電壓VDRM / VRRM的測(cè)試。

　　2、DIP-6、DIP-4封裝的過零和非過零檢測(cè)可控硅輸出的光電耦合器和DIP-6封裝的單向可控硅輸出的光電耦合器輸入LED端IFT / VFT的測(cè)試，輸出端可控硅正反向不重復(fù)峰值電壓VDSM / VRSM的測(cè)試，正反向重復(fù)峰值電壓VDRM /VRRM的測(cè)試。

　　3、電流在200A以內(nèi)，VDSM / VRSM在2KV以內(nèi)，觸發(fā)電流在120mA以內(nèi)的螺銓型單、雙向可控硅和可控硅組合模塊的觸發(fā)電壓IGT、觸發(fā)電流VGT的測(cè)試，正反向不重復(fù)峰值電壓VDSM / VRSM的測(cè)試，正反向重復(fù)峰值電壓VDRM / VRRM的測(cè)試。

　　4、2KV以內(nèi)的各類二極管、三極管、達(dá)林頓管、整流橋、MOS場(chǎng)效應(yīng)管、IGBT及各種模塊的耐壓測(cè)試。

　　5、2KV以內(nèi)的壓敏電阻、穩(wěn)壓管、雙向觸發(fā)二極管等電壓值的測(cè)試。

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